Электронная, дырочная и примесная проводимости полупроводников

Контакт электронного и дырочного полупроводника (p-n переход)

Если полупроводник в одной своей части обладает электронной, а в другой – дырочной электропродностью, то граница между этими областями называется электронно-дырочным или (p-n) переходом.

Модели полупроводника с электронной и дырочной электропроводностью представлены на рисунке 8, где показана полупроводниковая пластина. Каждая часть пластины до контактирования электрически нейтральна, так как существует равновесие свободных и связанных зарядов. Концентрация свободных электронов в n-области больше, чем в p-области, а дырок в p-области больше, чем в n-области. В приграничной области возникает диффузионное поле E_д(рисунок 8, а), которое будет препятствовать дальнейшему перемещению зарядов. При отсутствии внешнего электрического поля образуется запирающий слой.

Если к такой системе приложить внешнее электрическое поле Е, напряжение которого совпадает с диффузионным электрическим полем E_д, то переход будет «заперт» и ток не будет протекать (рисунок 8, б).

Рисунок 8 – Принцип действия полупроводникового выпрямителя: а – идеальный переход в отсутствие внешнего напряжения; б – реальный переход заперт; в – через переход проходит прямой ток большой величины

При изменении полярности приложенного электрического поля Е оно будет направлено противоположно диффузионному электрическому полю E_д.

При этом переход будет насыщаться носителями зарядов, он «открывается» и через него будет протекать «прямой» ток (рисунок 8, в).

Зонная структура полупроводников

Для того чтобы твердое тело обладало проводимостью в зоне проводимости должны быть свободные электроны, однако при температуре абсолютного нуля в свободной зоне они отсутствуют, а валентная зона заполнена полностью. При росте температуры некоторые электроны начинают обладать энергией способной перевести их в зону проводимости, а через некоторое время (время жизни носителя заряда) электрон переходит в валентную зону. Этот процесс называется рекомбинацией электрона и дырки.

При введении в полупроводник примесей в запрещённой зоне возникают дополнительные разрешённые уровни, причем при акцепторной примеси такой уровень возникает вблизи нижней половины запрещённой зоны W_a, а при донорной примеси в верхней половине W_d.

Структурные зоны полупроводников.

Таким образом, при внесении примесей в полупроводник энергии для перевода электрона из валентной зоны в зону проводимости требуется меньше на величину энергии активации доноров ΔW_и_d и энергии активации акцепторов ΔW_иа. Кроме того, из-за роста основных носителей заряда удельная электрическая проводимость полупроводника с примесью выше, чем больше концентрация акцепторных (N_a) и донорных (N_d) примесей.

Полупроводник, у которого концентрация доноров N_d и примесей N_a одинакова, называется скомпенсированным полупроводником. Такой полупроводник имеет такую же удельную проводимость, как и собственный, но отличается от него временем жизни носителей зарядов и другими параметрами.

Основные носители заряда в полупроводниках

В полупроводниковых материалах основными носителями заряда являются электроны и дырки.

Электроны — это отрицательно заряженные элементарные частицы, находящиеся в валентной зоне полупроводника. Они свободны для передвижения при наличии определенной энергии. Электроны могут переходить из валентной зоны в зону проводимости под воздействием внешнего воздействия, такого как тепловое возбуждение или действующее электрическое поле.

Дырки — это положительно заряженные «элементарные частицы», представляющие собой отсутствие электрона в валентной зоне. Возникают дырки при возбуждении электронов, которые освобождаются от своих мест в валентной зоне и переходят в зону проводимости. Таким образом, дырка может рассматриваться как положительно заряженный «эквивалентный» электрон, перемещающийся в противоположном направлении.

В полупроводниках количество электронов совпадает с количеством дырок, что обеспечивает электронейтральность материала.

Важно отметить, что в типичном полупроводнике электронная проводимость преобладает над дырочной проводимостью. Это связано с тем, что энергия, необходимая для перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости, обычно меньше, чем энергия, необходимая для образования дырки в валентной зоне

Однако, в некоторых полупроводниках, таких как p-типа полупроводников, дырочная проводимость может быть более значительной.

Понимание основных носителей заряда в полупроводниках является важным для понимания их электрических свойств и процессов, происходящих в полупроводниковых устройствах, таких как транзисторы и диоды.

Фотоносы: механизм генерации и их использование

Фотоносами называются основные носители заряда, которые возникают в полупроводниках в результате поглощения световой энергии. Механизм генерации фотоносов основан на явлении фотоэффекта – вырывании электрона из атома или молекулы под воздействием фотонов света.

При поглощении фотонов света полупроводником происходит переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. В результате этого перехода образуется пара электрон-дырка. Электрон возникает в зоне проводимости и становится свободным носителем заряда, а дырка – валентной зоне, где также может перемещаться, являясь положительно заряженным носителем. Таким образом, фотоносы представляют собой пары электрон-дырка, возникающие в полупроводнике под воздействием света.

Фотоносы играют важную роль в фотоэлектрических процессах и имеют широкое применение в различных устройствах. Одним из основных способов использования фотоносов является возбуждение фотоэлектрического эффекта. При попадании светового излучения на полупроводник фотоносы генерируются и могут быть захвачены электродами, создавая электрический ток. Такой эффект широко используется в солнечных батареях для преобразования солнечной энергии в электрическую.

Фотоносы также играют важную роль в рентгеновской технике и фотоэлементах, используемых в фотокамерах и других устройствах для регистрации света. При попадании фотонов света на фоточувствительную поверхность фотоносы генерируются и создают электрический сигнал, который может быть далее обработан и использован для получения изображения.

Таким образом, фотоносы представляют собой основные носители заряда в полупроводниках, которые возникают в результате поглощения световой энергии. Они играют важную роль в различных устройствах, где используется преобразование световой энергии в электрическую.

Основные параметры некоторых полупроводников

Параметр	Полупроводник
Si	Ge	GaAs	InSb
Заряд ядра	14	32	—	—
Атомный вес	28,1	72,6	—	—
Диэлектрическая проницаемость	12	16	11	16
Эффективная масса электрона	0,33	0,22	0,07	0,013
Эффективная масса дырок	0,55	0,39	0,5	0,6
Подвижность электронов, см2/(В·с)	1400	3800	11000	До 65000
Подвижность дырок, см2/(В·с)	500	1800	450	700
Ширина запрещенной зоны, В	1,11	0,67	1,4	0,18
Собственное удельное сопротивление, Ом·см	2·105	60	4·108
Коэффициент диффузии электронов, см2/с	36	100	290	До 1750
Коэффициент диффузии дырок, см2/с	13	45	12	17

Теория это хорошо, но необходимо отрабатывать это всё практически ПОПРОБОВАТЬ МОЖНО ЗДЕСЬ

Протекание тока через электронно-дырочный переход

При отсутствии внешнего электрического поля электрический ток полупроводнике должен отсутствовать, то есть равен нулю. То есть диффузионный ток в p-n-переходе, вызываемый различной концентрацией носителей заряда в кристалле, должен уравновешиваться дрейфовым током, направленным в противоположную сторону, и вызываемым напряжённостью внутреннего электрического поля Е

То есть разница в концентрации носителей заряда в полупроводнике существует всегда, что обусловлено существенным различием электрофизических свойств p-n-перехода от прилегающих к нему областей с p- и n-проводимостями.

Рассмотрим, как себя ведёт электронно-дырочный p-n-переход при прикладывании к нему внешнего электрического поля.

Допустим, внешнее электрического поле приложено плюсом к p-области, а минусом к n-области, то есть в данном случае оно противоположно по знаку контактной разности потенциалов.

Так как концентрация подвижных носителей заряда внутри p-n-перехода значительно ниже, чем в p- и n-областях, то сопротивление перехода значительно больше сопротивлений этих областей, поэтому большая часть напряжения падает на p-n-переходе величиной

где φ_К – контактная разность потенциалов,

U – приложенное напряжение к полупроводниковому кристаллу.

Так как внешнее электрическое поле направленно противоположно внутреннему электрическому полю p-n-перехода, то результирующие электрическое поле уменьшается. В результате этого происходит нарушение равновесия между дрейфовым и диффузионным токами, дрейфовый ток становится меньше, а результирующий ток будет не равен нулю

Электрический ток, протекающий через p-n-переход, в этом случае называется прямым током, а напряжение, приложенное к переходу, — прямым напряжением.

Толщина p-n-перехода, через который протекает прямой ток уменьшается, при этом уменьшается и сопротивление перехода согласно выражению

Диффузия дырок через p-n-переход, смещённый в прямом направлении, вызывает увеличение их концентрации на границе перехода. При этом увеличившаяся концентрация дырок вызывает дальнейшее диффузионное проникновение их вглубь n-области, где они не являются основными носителями заряда. Данный эффект называется инжекцией носителей заряда.

При прикладывании напряжения плюсом к n-области, а минусом – к p-области, оно совпадает по знаку с контактной разностью потенциалов. Так как сопротивление p-n-перехода значительно выше областей с p- и n-проводимостью, то практически всё напряжение оказывается приложенным к переходу

где φ_К – контактная разность потенциалов,

U – приложенное напряжение к полупроводниковому кристаллу.

Так как напряжение на переходе возрастает, то и толщина перехода также увеличивается согласно выражению

Внутреннее электрическое поле и внешнее приложенное складываются, что приводит к уменьшению диффузионного тока и дрейфовый ток начинает преобладать, и, следовательно, ток через переход не будет иметь нулевого значения

Так как результирующий ток противоположен по направлению прямому току, то его называют обратным током, а напряжение его вызывающее, — обратным напряжением.

Под действием обратного тока возникает диффузия неосновных носителей заряда к границе перехода, где они под действием электрического поля переносятся через p-n-переход. Данный эффект называется экстракцией носителей заряда.

Электронная и дырочная проводимости в полупроводниках

В полупроводниках при некотором значении температуры, отличном от нуля, часть электронов будет иметь энергию, достаточную для перехода в зону проводимости. Эти электроны становятся свободными, а полупроводники – электропроводными.

Уход электрона из валентной зоны, приводит к освобождению какого-либо валентного электрона из атома полупроводника, в результате чего в системе ковалентных связей возникает пустое место.

Вакантное энергетическое состояние называется дыркой.

Высвобожденный электрон может перемещаться по кристаллической решетке, создавая ток проводимости – электронный ток.

Если этот или другой электрон присоединится к валентным электронам соседнего атома, то местоположение отсутствующего электрона перемещается в пространстве от одного атома к другому. Перемещение избыточных электронов по кристаллической решетке сопровождается перемещением соответствующих вакансий.

Такое перемещение электронов можно рассматривать как движение положительно заряженных фиктивных зарядов-дырок, создающих дырочный ток. Дырочную проводимость не следует путать с ионной проводимостью. При дырочной проводимости в действительности движутся тоже электроны, но их движение пространственно ограниченно.

Таким образом, электрический ток в полупроводнике одновременно создается движением электронов и дырок, создавая электронную и дырочную проводимость. У абсолютно чистого и однородного полупроводников свободные электроны и дырки образуются попарно, т.е.:

, где – количество электронов и дырок в собственном (i-ом) полупроводнике.

Электропроводность такого полупроводника, который называется собственным, обусловлена парными носителями теплового происхождения, называется собственной.

Процесс образования пары носителей называется генерацией пары. Если эта генерация происходит под действием температуры – то это термогенерация, под действием света – фотогенерация.

Образовавшиеся электрон и дырка совершают хаотическое движение, пока электрон не будет захвачен дыркой. Этот процесс восстановления разорванных валентных связей называется рекомбинацией.

Промежуток времени с момента генерации носителя до его рекомбинации называется временем жизни, а расстояние, пройденное носителем заряда за время жизни диффузионной длиной.

При неизменных температуре и ширине запрещенной зоны как для собственных полупроводников, так и для примесных выполняется условие:

Это условие называется уравнением полупроводника.

Примесная проводимость

Собственная проводимость проводников не достигает больших значений, так как свободных электронов в их структуре не так уж и много. Например, в германии при комнатной температуре n_е = 3 • 1013 см-3, в то время как атомов в одном кубическом сантиметре ~ 1023.

Можем ли мы как-то повлиять на проводимость полупроводников? Да, можем. Если внедрим в них какую-нибудь примесь. В таком случае помимо собственной проводимости появится и дополнительная – примесная проводимость.

Примесной проводимостью называют проводимость, которая обусловлена внесением в их кристаллическую решетку примесей.

В полупроводниках

В полупроводниках есть два признанных типа носителей заряда. Один — это электроны, которые несут отрицательный электрический заряд. Кроме того, бегущие вакансии в валентной зоне электронной заселенности (дырки ) удобно рассматривать как второй тип носителей заряда, которые несут положительный заряд, равный по величине электрона.

Генерация и рекомбинация носителей

Когда электрон встречается с дыркой, они рекомбинируют, и эти свободные носители эффективно исчезают. Выделяемая энергия может быть либо тепловой, нагревая полупроводник (тепловая рекомбинация, один из источников отходящего тепла в полупроводниках), либо выделяться в виде фотонов (оптическая рекомбинация, используется в светодиоды и полупроводниковые лазеры ). Рекомбинация означает, что электрон, который был возбужден из валентной зоны в зону проводимости, возвращается в пустое состояние в валентной зоне, известное как дырки. Дырки — это пустое состояние, создаваемое в валентной зоне, когда электрон возбуждается после получения некоторой энергии, чтобы преодолеть запрещенную зону.

Основные и неосновные носители

Более распространенные носители заряда называются основными носителями, которые в первую очередь ответственны за перенос тока в части полупроводника.. В полупроводниках n-типа они являются электронами, тогда как в полупроводниках p-типа они являются дырками. Менее распространенные носители заряда называются неосновными носителями ; в полупроводниках n-типа они являются дырками, а в полупроводниках p-типа — электронами.

В собственном полупроводнике, который не содержит никаких примесей, концентрации обоих типов носителей идеально равны. Если собственный полупроводник легирован донорной примесью, то основными носителями являются электроны. Если полупроводник легирован акцепторной примесью, то основными носителями являются дырки.

Меньшие носители играют важную роль в биполярных транзисторах и солнечных элементах. Их роль в полевых транзисторах (FET) немного сложнее: например, MOSFET имеет области p-типа и n-типа. В действие транзистора вовлекаются основные носители областей истока и стока, но эти носители проходят через тело противоположного типа, где они являются неосновными носителями. Тем не менее, пересекающих носителей намного больше, чем их противоположного типа в области переноса (фактически, носители противоположного типа удаляются приложенным электрическим полем, которое создает инверсионный слой ), поэтому условно обозначение истока и стока для носители приняты, и полевые транзисторы называют устройствами «основной несущей».

Концентрация свободных носителей

Концентрация свободных носителей — это концентрация свободных носителей в легированном полупроводнике. Он похож на концентрацию носителей в металле и может использоваться для расчета токов или скоростей дрейфа таким же образом. Свободные носители представляют собой электроны (или дырки ), которые были введены непосредственно в зону проводимости (или валентную зону ) путем легирования и не продвигаются термически. По этой причине электроны (дырки) не будут действовать как двойные носители, оставляя дырки (электроны) в другой зоне. Другими словами, носители заряда — это частицы / электроны, которые могут свободно перемещаться (переносить заряд).

Зависимость электропроводности полупроводников от воздействия внешних факторов

При Т→0 К (участок 1–2) концентрация свободных носителей заряда определяется фоновыми носителя, имеющимися в полупроводнике из-за несовершенства технологии, нарушений кристаллической структуры или неконтролируемых примесей (рисунок 4, а) При повышении температуры электроны с донорных уровней переходят в зону проводимости или из валентной зоны на акцепторные уровни. Чем выше температура, тем большее число примесных атомов активировано (участок 2–3).

Когда тепловой энергии достаточно для полной активации примесей (точка 3), происходит истощение примесных уровней. Все электроны донорной примеси перейдут в зону проводимости, а все атомы акцепторной примеси захватят из валентной зоны максимально возможное количество электронов. При дальнейшем повышении температуры концентрации свободных носителей заряда остается постоянной (область 3–4), так как примесные уровни истощены, а энергия теплового поля недостаточна для активации собственных носителей заряда.

В точке 4 тепловой энергии будет достаточно для активации собственных носителей заряда в полупроводнике. Начинаются переходы электронов из валентной зоны в зону проводимости, и чем выше температура, тем больше актов активации собственных носителей заряда (участок 4–5).

Рисунок 4 – Зависимость концентрации свободных носителей зарядов от температуры: Т полупроводника (а); зависимость проводимости от температуры Т полупроводника (б)

Зависимость электропроводности примесного полупроводника от обратной температуры (рисунок 4, б) имеет аналогичный характер, как на рисунке 4, а. На переходном участке (3–4) примеси истощены, а небольшое снижение электропроводности обусловлено рассеянием свободных носителей зарядов на тепловых колебаниях узлов кристаллической решетки.

Донорные примеси

Пусть у нас есть смесь кремния. Добавим туда немного мышьяка. Что мы получим? Атомы мышьяка имеют пять валентных электронов. Четыре из них участвуют в образовании ковалентной связи с соседними атомами. Пятый же оказывается слабо связанным атомом, поэтому он быстро вылетает и становится свободным.

Одна десятимиллионная доля атомов мышьяка увеличивает концентрацию свободных электронов в смеси кремния в тысячу раз. Такие примеси называются донорными (отдающими) примесями.

Полупроводники, которые имеют донорные примеси, называются полупроводниками n-типа.

В полупроводнике такого типа электроны становятся основными носителями заряда, а дырки – неосновными.

Связь электропроводности полупроводника с концентрацией и подвижностью носителей заряда

При наличии внешнего электрического поля плотность тока, протекающего через полупроводник

(1)

где n – концентрация электронов зоны проводимости; е – заряд электрона;

v_n – скорость электронов.

Полная плотность тока через полупроводник

(2) (3)

где µ_n и µ_p – подвижность свободных носителей зарядов.

Удельная проводимость электронного полупроводника равна сумме γ_пр и γ_соб удельных электрических проводимостей

(4)

где γ_пр₌ n_дeµ_n;

n_д – концентрация свободных электронов за счет донорной примеси.

В дырочном полупроводнике

(5)

где γ_пр = р_аeµ_p ;

р_а – концентрация дырок за счет акцепторной примеси.

Полупроводники n типа

Внесение в полупроводник примесей существенно влияет на поведение электронов и энергоуровни спектра кристалла. Валентные электроны примесных атомов создают энергетические уровни в запрещенной зоне спектра. К примеру, если в решетке германия один атом замещен пятивалентным атомом фтора, то энергия дополнительного электрона станет меньше, чем энергия, которая соответствует нижней границе зоны проводимости. Энергетические уровни подобных примесных электронов находятся ниже дна зоны проводимости. Эти уровни заполненные электронами называют донорными. Для перевода электронов с донорных уровней в зону проводимости необходима энергия меньше, чем у чистого полупроводника. После того как электроны переброшены в зону проводимости с донорных уровней, говорят, что в полупроводнике появилась проводимость n-типа. Полупроводники с донорной примесью называют электронными (донорными) или полупроводниками n-типа (negative — отрицательный). Электроны в полупроводниках n — типа служат как основные носители заряда, дырки — неосновными. Энергетическая диаграмма такого полупроводника изображена на рис.1.

Статья: Полупроводники p и n типа, p-n переход

Найди решение своей задачи среди 1 000 000 ответов

Структура кристаллической решетки

Чистые полупроводники не используются для создания электронных приборов за счет строения кристаллической решетки. Для достижения функциональности добавляют в их кристаллическую решетку атомы примеси, на котором в дальнейшем будет формироваться P-N переход.

Кристаллическая решетка кремния

Основным полупроводником в электронике является 4-х валентный кремний (Si), имеющий в своей структуре четыре валентных электрона. Кремний используется для создания P-N перехода в современных полупроводниковых приборах.

В кремний добавляют мышьяк (As) в небольшом количестве, имеющий похожую кристаллическую решетку. Такой процесс называется – легированием. Он легко вписывается в структуру кремния, при этом принося один дополнительный электрон на донорский уровень под зоной проводимости.

Структура кремния с донорной примесью

При небольшом количестве тепловой энергии он может переходить в зону проводимости и проводить электрический ток. Данный проводник называется N-типом и он нейтрален. Большинство носителей заряда здесь электроны.

Существует другой тип полупроводников, называемый P-типа. В нем носители заряда положительные “дырки”. Для получения данного типа проводимости в кремний добавляют небольшое количество атомов индия (In). Индий хорошо вписывается в решетку кремния, при этом имеет на один валентный электрон меньше. Поэтому создает пустой акцепторный уровень расположенный выше валентной зоны.

Структура кремния с акцепторной примесью

При небольшом количестве тепловой энергии электроны покидают валентную зону оставляя после себя дырки. Они отвечают за проведение тока в полупроводниках P-типа. Сам материал не имеет заряда.

Собственная проводимость полупроводника

Проводимость любого вещества определяется наличием и подвижностью носителей заряда в этом веществе и рассчитывается по специальным формулам. Практически во всех твердых веществах проводимость обеспечивается свободными электронами. Однако в полупроводниках она имеет свои особенности.

Рассмотрим кристалл типичного полупроводника — кремния.

Кремний четырехвалентен, а энергетически устойчивое число внешних валентных электронов — восемь. В итоге кремнию «энергетически выгодно» создать четыре двухэлектронных связи с соседними атомами.

Рис. 1. Строение полупроводника кремния.

При повышении температуры энергии некоторых электронов начинает хватать, чтобы разорвать связь. В кристалле появляются свободные отрицательные носители. Они обеспечивают проводимость, которая называется электронной.

Одновременно в кристаллической решетке оказываются связи с недостатком электронов. Такая связь называется дыркой. Поскольку электрон в составе связи при подлете к атому может продолжить движение по любой из четырех связей, то дырка в любой момент может заполниться электроном с образованием дырки в соседней связи. Такое событие может рассматриваться, как движение дырки. А поскольку дырка представляет собой недостаток электронов, она движется как положительно заряженный носитель. Такая проводимость называется дырочной.

Электронная и дырочная проводимость, появляющаяся в результате того, что электроны разрывают связи, называется собственной проводимостью проводника.

Типы проводимости полупроводников

Из-за нарушения ковалентных связей происходит образование свободных электронов и мест их отсутствия – дырок, возле атомов от которых оторвались электроны.

Образование пары электрон – дырка при нарушении ковалентной связи.

Дырка ведёт себя как электрон, только с положительным зарядом, совершая хаотичные движения в течении некоторого времени, называемого временем жизни носителей заряда, а после рекомбинирует с одним из свободных электронов. Среднее расстояние, которое проходит электрон или дырка за время жизни, называется диффузионной длиной носителя заряда (электрона L_n или дырки L_p). В полупроводнике свободные электроны совершая переходы от одной дырки к другой, создавая впечатление, что одна и таже дырка перемещается от атома к атому. Однако это свободные электроны движутся в направлении противоположном образовании дырок. В связи с этим в полупроводниках выделяют два типа проводимости носителей зарядов: электронная и дырочная.

В однородных полупроводниках (собственный полупроводник) основной причиной образования пар электронов и дырок является нагрев, то есть термогенерация. Количество генерируемых пар носителей заряда равно количеству рекомбинированных пар. Величина, характеризующая число носителей заряда в единице объёма, называется удельной электрической проводимостью (для электронов — n_i, для дырок — p_i). Проводимость полупроводника в результате термогенерации электронно-дырочной пары называется собственной проводимостью.

Кроме собственной проводимости существует, так называемая дефектная проводимость, которая обусловлена наличием дефекта кристаллической решётки: избыток одного из компонентов вещества (например кислорода в окиси меди Cu₂O) либо смещение узлов решётки.

Ещё одним типом проводимости, обусловленная наличием примесей в полупроводнике, нарушающих структуру решетки, является примесная проводимость. Атомы примеси, в кристаллических решётках полупроводников, замещают основные атомы в узлах решётки. Так при введении в кремний атомов фосфора, четыре его электрона связываются с четырьмя электронами кремния, а пятый электрон фосфора оказывается слабо связан с ядром атома и делается свободным. В результате атом фосфора приобретает единичный положительный заряд. Свободные электроны примесных атомов добавляются к электронам порождённым термогенерацией, поэтому проводимость полупроводника делается преимущественно электронной. Такие полупроводники называются электронными или n-типа, а примеси называются донорными, кроме фосфора донорными примесями являются сурьма, мышьяк и другие пятивалентные атомы.

Донорная примесь в решётке кремния (образуется свободный электрон).

Другой тип проводимости, обусловленный примесями, появляется при введении трёхвалентных атомов, например, бора, алюминия, галия, индия. Так как данные атомы имеют по три электрона, а кремний или германий – по четыре, то в результате замещения ими в узлах кристаллической решётки появляется необходимость в дополнительном электроне. Данный электрон берётся из основной решётки, следовательно, в том месте откуда пришел электрон образуется дырка, которая добавляется к термогенерированным дыркам. Такие полупроводники называются дырочными или p-типа, а примеси называются – акцепторными.

Акцепторная примесь в решётке кремния (образуется свободная дырка).

Так как в полупроводниках с примесями один из носителей зарядов преобладает над другим, то те носители, которых большинство, называются основными, а те, которых меньшинство – неосновными. В полупроводнике p-типа основными носителями являются дырки, а неосновными – электроны.